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61) 包含稀土元素的合金，其生产方法，磁致伸缩器件，以及磁性冷冻剂材料。
62) 这种结构器件能有效降低困扰常规MOSFET的短沟效应和寄生的双极效应，能大幅度减小器件尺寸。
63) 无腔器件没有角度依赖性。
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64) 对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究。
65) 钽及钽钨合金丝主要用于医学植入、高温炉加热元器件等。
66) 作为高频频地波雷达的配套器件，应答器的工作方式和雷达密切相关。
67) 该机采用独一无二的一体化全内置设计，光学、电子和机械器件高度集成，整机仅重20公斤。
68) 钼板材主要用作电光源零件、电真空器件、隔热屏、发热器、钼电极及钼舟、钼坩埚等，用途广泛，市场前景看好。
69) KI31系列突跳式温控器是小型双金属片温控器，属温度继电器类器件。
70) 简要阐述了半导体器件模拟软件在新器件开发中的应用，对性能模拟扩展与工艺模拟集成的优势作了简述。
71) 文中介绍了CCD器件的有关原理和基本结构，和据此设计的多值逻辑电路，讨论了其性质及几种应用。
72) 本文利用红外热像仪测温系统,系统地对三种典型的航天用功率器件进行了测试和分析.
73) 器件测试结果充分证实了自对准双栅薄膜晶体管的优越性能。
74) 实验表明，共栅器件的第二栅压会显著影响器件饱和电流与跨导特性，从而控制功率增益。
75) 利用液晶分子取向的电场可控性及光学各向异性的特点，设计了一种新型的菲涅耳位相波带片，这种器件具有制作简单、造价低廉、抗划损的优点。
76) 通过对光刻工艺过程的研究，可为较好地控制正性光刻胶面形，制作微机械、微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。
77) 本文提出了基于DDA器件原理的增量调制递归数字滤波器的实现方案，并做出了实验设备。
78) 模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。
79) 注册名。应用程序代码使用它来定位器件。
80) 本文首先建立了一个SOIMOSFET器件的直流漏电流模型和阈值电压模型，模型考虑了速度饱和效应。
81) 随着工作温度的升高，器件内部噪声对器件性能的影响越来越大。
82) 光纤水听器作为目前水下声场探测灵敏度最高的器件,所具有的优异性能,使其成为未来新型声纳装置的最佳选择.
83) 该器件采用一次深刻蚀与一次浅刻蚀，从而屏蔽掉“静态镜面”的影响。
84) 文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。
85) 通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOIMOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应。
86) 更吸引人的是采用FPGA器件可以将原来的电路板级产品集成为芯片级产品，从而降低了功耗，尝试了FPGA在低功耗、低数据率系统的应用。
87) 这两种属性决定着热电材料的"品质因数"。"品质因数"是用来描述用热电材料所制成的元器件的输出功率的单位。
88) 针对采用平面工艺的半导体器件的结构信息，通过单元排序和工艺流程生成两个步骤，生成一个可以实现输入目标要求的工艺流程。
89) 对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型。
90) 铌酸锂相位调制器是实现锯齿波调制闭环光纤陀螺的关键器件.